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Référence fabricant
1N4757A
1N4757A Series 1 W 51 V 5 uA Axial Through Hole Zener Diode - DO-41
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Box Style d'emballage :DO-41 (DO-204AL) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2306 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi 1N4757A - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=1N4757A&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--diodes--zener/1n4757a-onsemi-7188104
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onsemi 1N4757A - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Power Dissipation: | 1W |
| Forward (Drive) Current: | 200mA |
| Forward Voltage: | 1.2V |
| Reverse Current-Max: | 5µA |
| Working Voltage-Nom: | 51V |
| Style d'emballage : | DO-41 (DO-204AL) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The 1N4757A is a part of 1N475x series having power dissipation of 1 W, nominal voltage 51 V, leakage current of 5 µA, operating temperature as -65 °C to +200 °C and DO-41 package style.
Notes:
- Zener Voltage (VZ), The zener voltage is measured with the device junction in the thermal equilibrium at the lead temperature (TL) at 30 °C ± 1 °C and 3/8” lead length
- 2 Square wave Reverse Surge at 8.3 msec soak time
Pricing Section
Stock global :
249
États-Unis:
249
Sur commande :
0
Délai d'usine :
6 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.029
1 000
$0.0282
3 000
$0.0275
10 000
$0.0268
30 000+
$0.0254
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Box
Style d'emballage :
DO-41 (DO-204AL)
Méthode de montage :
Through Hole