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Référence fabricant
BSC050NE2LSATMA1
Single N-Channel 25 V 7.1 mOhm 7 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSC050NE2LSATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC050NE2LSATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc050ne2lsatma1-infineon-1060204
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Infineon BSC050NE2LSATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 25V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 10.4nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 39A |
| Turn-on Delay Time: | 2.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 11.4ns |
| Rise Time: | 2.2ns |
| Fall Time: | 2ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 760pF |
| Style d'emballage : | TDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.245
10 000
$0.24
20 000+
$0.235
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount