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Référence fabricant

DMP2022LSS-13

P-Channel 20 V 13 mOhm 2.5 W SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2338
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMP2022LSS-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 13mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5W
Qg Gate Charge: 56.9nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 12V
Drain Current: 10A
Turn-on Delay Time: 7.5ns
Turn-off Delay Time: 108ns
Rise Time: 9.9ns
Fall Time: 76.5ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 0.77V
Input Capacitance: 2444pF
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Weeks
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
637,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.255
7 500
$0.25
25 000+
$0.245
Product Variant Information section