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Référence fabricant
HUF75329D3ST
N-Channel 20 A 55 V 0.026 Ohm SMT UltraFET Mosfet- TO-252-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252AA Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi HUF75329D3ST - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=HUF75329D3ST&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/huf75329d3st-onsemi-9040544
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onsemi HUF75329D3ST - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 26mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 128|W |
| Qg Gate Charge: | 50nC |
| Style d'emballage : | TO-252AA |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The HUF75329D3ST is a 20 A 55 V 0.026 Ω N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET® process
This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge.
Features:
- 20 A, 55 V
- Peak Current vs Pulse Width Curve
- UIS Rating Curve
Applications:
- Switching regulators
- Switching converters
- Motor drivers
- Relay drivers
- Lowvoltage bus switches
- Power management
- Battery operated products
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252AA
Méthode de montage :
Surface Mount