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Référence fabricant
ISZ028N03LF2SATMA1
N-Channel 30 V 22 A 83 W2.8 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TSDSON-8 FL
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TSDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon ISZ028N03LF2SATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=ISZ028N03LF2SATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/isz028n03lf2satma1-infineon-5196362
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Infineon ISZ028N03LF2SATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 83W |
| Qg Gate Charge: | 27nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | ±20V |
| Drain Current: | 2.8A |
| Turn-on Delay Time: | 11ns |
| Turn-off Delay Time: | 12ns |
| Rise Time: | 7.6ns |
| Fall Time: | 6.4ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.35V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 1780pF |
| Series: | StrongIRFET™ 2 |
| Style d'emballage : | TSDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.385
10 000
$0.38
20 000+
$0.375
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TSDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount