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Référence fabricant

STD15N50M2AG

N-channel 500 V 0.380 Ohm Automotive-Grade MDmesh M2 Power Mosfet - DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STD15N50M2AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 500V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.38Ω
Rated Power Dissipation: 85W
Qg Gate Charge: 13nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 10A
Turn-on Delay Time: 10ns
Turn-off Delay Time: 84ns
Rise Time: 3.2ns
Fall Time: 8.8ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 530pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
2 125,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.85
5 000
$0.84
7 500+
$0.825