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Référence fabricant
MASTERGAN1LTR
Power Management-GALLIUM NITRIDE
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Cut Tape Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics MASTERGAN1LTR - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MASTERGAN1LTR&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--gallium-nitride-mosfets-gan-mosfets/mastergan1ltr-stmicroelectronics-8181860
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STMicroelectronics MASTERGAN1LTR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Technology: | GaN |
| Qg Gate Charge: | 2nC |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 620V |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$3.94
15
$3.82
75
$3.74
300
$3.68
1 500+
$3.58
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Cut Tape
Méthode de montage :
Surface Mount