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Référence fabricant
A1P35S12M3
A1P35S12M3 Series 1200 V 35 A Trench Gate Field-Stop IGBT - ACEPACK™ 1
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :22 par Tray Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2345 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics A1P35S12M3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=A1P35S12M3&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/a1p35s12m3-stmicroelectronics-2097680
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STMicroelectronics A1P35S12M3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 1200V |
| Power Dissipation-Tot: | 250W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 70A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.95V |
| Turn-on Delay Time: | 122ns |
| Turn-off Delay Time: | 142ns |
| Qg Gate Charge: | 163nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 140ns |
| Leakage Current: | 500nA |
| Input Capacitance: | 2154pF |
| Thermal Resistance: | 0.55°C/W |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| No of Terminals: | 22 |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
987
États-Unis:
987
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$43.24
4
$42.71
20
$42.11
40
$41.85
125+
$41.18
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
22 par Tray
Méthode de montage :
Chassis Mount