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Référence fabricant
FGA40N65SMD
FGA40N65SMD Series 650 V 40 A Field Stop IGBT - TO-3PN
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-3PN Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
onsemi FGA40N65SMD - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FGA40N65SMD&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/fga40n65smd-onsemi-5021913
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onsemi FGA40N65SMD - Caractéristiques techniques
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 80A |
| Power Dissipation-Tot: | 349W |
| Turn-on Delay Time: | 12ns |
| Turn-off Delay Time: | 92ns |
| Style d'emballage : | TO-3PN |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The FGA40N65SMD is a Field Stop IGBT Transistor with 650 V of collector to emitter voltage and 40 A of forward current. This Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Solar Inverter, UPS, SMPS, Welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Features:
- Maximum Junction Temperature : TJ =175°C
- Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
- High Current Capability
- Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.9V(Typ.) @ IC = 40A
- Fast Switching
- Tighten Parameter Distribution
- RoHS Compliant
Applications:
- Solar Inverter, UPS, SMPS, Welder, PFC
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-3PN
Méthode de montage :
Through Hole