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Référence fabricant
STGE200NB60S
STGE200NB60S Series N-Channel 600 V 200 A Low Drop PowerMESH IGBT - ISOTOP
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :10 par Tube Style d'emballage :ISOTOP Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2407 | ||||||||||
STMicroelectronics STGE200NB60S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STGE200NB60S&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/stge200nb60s-stmicroelectronics-8766909
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STMicroelectronics STGE200NB60S - Caractéristiques techniques
| CE Voltage-Max: | 600V |
| Collector Current @ 25C: | 200A |
| Power Dissipation-Tot: | 600W |
| Turn-on Delay Time: | 64ns |
| Turn-off Delay Time: | 2.4µs |
| Style d'emballage : | ISOTOP |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Fonctionnalités et applications
The STGE200NB60S Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding performances. The suffix “S” identifies a family optimized to achieve very low VCE(sat) (@ max frequency of 1KHz).
Features:
- High input impedance (voltage driven)
- Low on-voltage drop (Vcesat)
- Off losses include tail current
- Low gate charge
- High current capability
Applications:
- Low frequency motor controls
- Aluminum welding equipment
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
10 par Tube
Style d'emballage :
ISOTOP
Méthode de montage :
Chassis Mount