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Référence fabricant
STGF10M65DF2
STGF10M65DF2 Series 650 V 20 A Trench Gate field-Stop IGBT - TO-220FP
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 1749 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STGF10M65DF2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STGF10M65DF2&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/stgf10m65df2-stmicroelectronics-6109129
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STMicroelectronics STGF10M65DF2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 20A |
| Power Dissipation-Tot: | 30W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 40A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.8V |
| Turn-on Delay Time: | 19ns |
| Turn-off Delay Time: | 91ns |
| Qg Gate Charge: | 28nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 96ns |
| Leakage Current: | 250µA |
| Input Capacitance: | 840pF |
| Thermal Resistance: | 62.5°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
350
États-Unis:
350
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.565
75
$0.55
300
$0.535
1 250
$0.525
5 000+
$0.495
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Through Hole