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Référence fabricant
2N6849
2N6849 Series 100 V 0.30 Ohm -6.5 A P-Channel Hexfet Transistor - TO-39
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Bulk Style d'emballage :TO-39 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon 2N6849 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon 2N6849 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 345mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 25|W |
| Qg Gate Charge: | 34.8nC |
| Style d'emballage : | TO-39 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1+
$18.00
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Style d'emballage :
TO-39
Méthode de montage :
Through Hole