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Référence fabricant
DMC3021LSD-13
DMC3021LSD Series 30 V 21 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2352 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMC3021LSD-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMC3021LSD-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmc3021lsd-13-diodes-incorporated-1023727
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Diodes Incorporated DMC3021LSD-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 21mΩ/39mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 16.1nC/21.1nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 8.5A/7A |
| Turn-on Delay Time: | 5ns/10.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 26.3ns/50.1ns |
| Rise Time: | 4.5ns/6.5ns |
| Fall Time: | 8.55ns/22.2ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.45V/1.7V |
| Height - Max: | 1.5mm |
| Length: | 4.95mm |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.193
5 000
$0.191
10 000
$0.189
12 500
$0.188
37 500+
$0.184
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount