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Référence fabricant
FDD13AN06A0
N-Channel 60 V 50 A 13 mOhm PowerTrench® Mosfet - DPAK
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDD13AN06A0 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDD13AN06A0&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdd13an06a0-onsemi-3208097
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onsemi FDD13AN06A0 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 13.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 115|W |
| Qg Gate Charge: | 22nC |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDD13AN06A0 is a 60 V 13.5 mΩ PowerTrench N-Channel Mosfet Available in a TO-252AA Package .
Features:
- rDS(ON) = 11. 5Ω (Typ.), VGS = 10 V, ID = 50 A
- Qg(tot) = 22 nC (Typ.), VGS = 10 V
- Low Miller Charge
- Low QRR Body Diode
- UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
- Qualified to AEC Q101
Applications:
- Motor / Body Load Control
- ABS Systems
- Powertrain Management
- Injection Systems
- DC-DC converters and Off-line UPS
- Distributed Power Architectures and VRMs
- Primary Switch for 12 V and 24 V systems
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.86
5 000
$0.845
7 500+
$0.835
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount