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Référence fabricant
FDMS86200
N-Channel 150 V 35 A Shielded Gate PowerTrench Mosfet - POWER56
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWER 56-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2326 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDMS86200 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMS86200&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdms86200-onsemi-4002583
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onsemi FDMS86200 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 150V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 21mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 104|W |
| Qg Gate Charge: | 26nC |
| Style d'emballage : | POWER 56-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDMS86200 is a N-Channel MOSFET. It is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Features:
Applications:
- DC-DC Conversion
View the complete FDMS86x series of MosFets
Pricing Section
Stock global :
27 000
États-Unis:
27 000
Délai d'usine :
21 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$1.19
6 000+
$1.18
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWER 56-8
Méthode de montage :
Surface Mount