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Référence fabricant
IRF7480MTRPBF
Single N-Channel 40 V 1.2 mOhm 123 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4800 par Reel Style d'emballage :DIRECTFET Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF7480MTRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Material Change
02/18/2025 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF7480MTRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf7480mtrpbf-infineon-7049702
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Infineon IRF7480MTRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 96|W |
| Qg Gate Charge: | 123nC |
| Style d'emballage : | DIRECTFET |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
21 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 800+
$1.11
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4800 par Reel
Style d'emballage :
DIRECTFET
Méthode de montage :
Surface Mount