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Infineon | IRFR5410TRPBF

Référence fabricant

IRFR5410TRPBF

Single P-Channel 100 V 0.205 Ohm 58nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2515
Product Specification Section
Infineon IRFR5410TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.205Ω
Rated Power Dissipation: 66|W
Qg Gate Charge: 58nC
Style d'emballage :  TO-252AA
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
136 000
États-Unis:
136 000
Sur commande :Order inventroy details
168 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
2000
Total 
930,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.465
4 000
$0.46
6 000
$0.455
10 000+
$0.445
Product Variant Information section