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Référence fabricant
IRLMS2002TRPBF
Single N-Channel 20 V 0.045 Ohm 22 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-6
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :MICRO-6 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRLMS2002TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRLMS2002TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irlms2002trpbf-infineon-1154293
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Infineon IRLMS2002TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.045Ω |
| Rated Power Dissipation: | 2W |
| Qg Gate Charge: | 22nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
| Drain Current: | 6.5A |
| Turn-on Delay Time: | 8.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 36ns |
| Rise Time: | 11ns |
| Fall Time: | 16ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 1.2V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1.3mm |
| Length: | 3mm |
| Input Capacitance: | 1310pF |
| Style d'emballage : | MICRO-6 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.191
6 000
$0.189
12 000
$0.187
15 000
$0.186
45 000+
$0.182
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
MICRO-6
Méthode de montage :
Surface Mount