Référence fabricant
NDS9948
Dual P-Channel 60 V 250 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2507 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NDS9948 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NDS9948 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 250mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.9|W |
| Qg Gate Charge: | 9nC |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NDS9948 Part Number is a Dual P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5 V - 20 V).
Features:
- -2.3 A, -60 V
- RDS(ON) = 250 mO @ VGS = -10 V
- RDS(ON) = 500 mO @ VGS = -4.5 V
- Low gate charge (9 nC typical)
- Fast switching speed
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
- High power and current handling capability
Applications:
- Automation
- Broadband Access
- Broadband Modem
- Broadcast & Studio
- Building & Home Control
- Camcorder
Pricing Section
Stock global :
37 500
États-Unis:
37 500
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.215
5 000
$0.21
37 500+
$0.205
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount