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Référence fabricant
NP50P06SDG-E1-AY
NP50P06SDG Series P-Channel 60 V 16.5 mOhm 100 nC Switching MosFet - TO-252
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| Nom du fabricant: | Renesas | ||||||||||
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Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount |
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Renesas NP50P06SDG-E1-AY - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change: The shape of the hook part of the inner box (inner part) for f330 size Tape & Reel products will be changed to no hook.This change will be applied sequentially starting with shipments in July 2024.Thereafter, inner boxes with hooks and without hooks will be shipped in parallel.Reason for Change: To improve the assembly process of inner boxes.
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NP50P06SDG-E1-AY&field4=Renesas&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/np50p06sdg-e1-ay-renesas-1011002
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NP50P06SDG-E1-AY&field4=Renesas&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/np50p06sdg-e1-ay-renesas-1011002
Renesas NP50P06SDG-E1-AY - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 16.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 84|W |
| Qg Gate Charge: | 100nC |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount