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Référence fabricant

SI4456DY-T1-E3

Single N-Channel 40 V 0.0038 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SI4456DY-T1-E3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.0038Ω
Rated Power Dissipation: 7.8|W
Qg Gate Charge: 122nC
Style d'emballage :  SOIC-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
The SI4456DY-T1-E3 is a N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.

It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 150 °C and it is available in a SO-8 package.

Features:

  • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
  • TrenchFET® Gen II Power MOSFET
  • 100 % Rg and UIS Tested

Applications:

  • Secondary Rectification
  • Point of Load
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
5 000
Délai d'usine :
36 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
2 225,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.89
5 000
$0.88
7 500+
$0.865
Product Variant Information section