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Référence fabricant

STD2NK90Z-1

N-Channel 900 V 6.5 Ohm SuperMESH Power MosFet - TO-251

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STD2NK90Z-1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 900V
Drain-Source On Resistance-Max: 6.5Ω
Rated Power Dissipation: 70|W
Qg Gate Charge: 19.5nC
Style d'emballage :  TO-251 (IPAK)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
32 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
75
Total 
6 240,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$2.08
Product Variant Information section