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STMicroelectronics | STF10N60M2

Référence fabricant

STF10N60M2

N-Channel 600 V 600 mOhm Flange Mount MDmesh II Plus Power Mosfet -TO-220FP

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STF10N60M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.6Ω
Rated Power Dissipation: 25W
Qg Gate Charge: 13.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 7.5A
Turn-on Delay Time: 8.8ns
Turn-off Delay Time: 32.5ns
Rise Time: 8ns
Fall Time: 13.2ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 400pF
Style d'emballage :  TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
36 Semaines
Commande minimale :
2000
Multiples de :
1000
Total 
2 780,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.40
2 000
$1.39
3 000
$1.38
5 000+
$1.36
Product Variant Information section