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STMicroelectronics | STL33N65M2

Référence fabricant

STL33N65M2

N-Channel 650 V 154 mOhm Surface Mount MDmesh™ M2 Power MOSFET -PowerFLAT 8x8 HV

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STL33N65M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 154mΩ
Rated Power Dissipation: 150W
Qg Gate Charge: 41.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 20A
Turn-on Delay Time: 13.5ns
Turn-off Delay Time: 72.5ns
Rise Time: 11.5ns
Fall Time: 11.5ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 1790pF
Style d'emballage :  POWER FLAT
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
44 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
15 210,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$5.07
Product Variant Information section