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STMicroelectronics | STP10NM60N

Référence fabricant

STP10NM60N

N-Channel 650 V 0.55 Ohm Flange Mount MDmesh II Power MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2307
Product Specification Section
STMicroelectronics STP10NM60N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.55Ω
Rated Power Dissipation: 70W
Qg Gate Charge: 19nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 10A
Turn-on Delay Time: 10ns
Turn-off Delay Time: 32ns
Rise Time: 12ns
Fall Time: 15ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 540pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
9 500
États-Unis:
9 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
50
Multiples de :
50
Total 
164,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$3.28
150
$3.24
500
$3.19
1 000
$3.17
2 000+
$3.12
Product Variant Information section