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Référence fabricant
SCT3120ALGC11
SCT3120AL Series 650 V 21 A 156 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2244 | ||||||||||
ROHM SCT3120ALGC11 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed description of change:Now: *On-board SiC chip's wafer diameter: 4inch - Front-end manufacturing plants : - ROHM Apollo Co., Ltd. Chikugo Plant After:*On-board SiC chip's wafer diameter: 6inch - Front-end manufacturing plants : - Lapis Semiconductor Co., Ltd. Miyazaki Plant Reason:To expand production capacity.
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT3120ALGC11&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct3120algc11-rohm-8189745
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SCT3120ALGC11&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-mosfets-sic-mosfets/sct3120algc11-rohm-8189745
ROHM SCT3120ALGC11 - Caractéristiques techniques
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain Current: | 21A |
| Input Capacitance: | 460pF |
| Power Dissipation: | 103W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole