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Référence fabricant
IDH20G65C5XKSA2
Diode SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 20A Through Hole PG-TO220-2-1
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Tube Style d'emballage :TO-220-2 (TO-220AC) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2437 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IDH20G65C5XKSA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IDH20G65C5XKSA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--diodes--silicon-carbide-diode-sic-diodes/idh20g65c5xksa2-infineon-9170907
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Infineon IDH20G65C5XKSA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Reverse Voltage-Max: | 650V |
| Capacitance: | 74pF |
| Average Rectified Current-Max: | 20A |
| Forward Voltage: | 1.5V |
| Leakage Current: | 210µA |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Product Status: | Active |
| Style d'emballage : | TO-220-2 (TO-220AC) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
500
États-Unis:
500
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$1.76
1 000+
$1.73
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-2 (TO-220AC)
Méthode de montage :
Through Hole