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onsemi | MJ11032G

Référence fabricant

MJ11032G

MJ Series 120 V 50 A NPN High Current Darlington Silicon Transistor - TO-204

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2531
Product Specification Section
onsemi MJ11032G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: NPN
Type: Darlington
CE Voltage-Max: 120V
Collector Current Max: 50A
Power Dissipation-Tot: 300W
DC Current Gain-Min: 400
Style d'emballage :  TO-3 (TO-204)
Fonctionnalités et applications

These Bipolar Power Darlington Transistors are for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications.

Features:

  • High DC Current Gain
    • hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc
    • hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc
  • Curves to 100 A (Pulsed)
  • Diode Protection to Rated IC
  • Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor
  • Junction Temperature to +200°C
  • Pb-Free Packages are Available

Learn more about the MJ11 family of Transistors

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Commande minimale :
100
Multiples de :
100
Total 
790,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
100
$7.90
200+
$7.83
Product Variant Information section
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