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Référence fabricant

APT45GP120B2DQ2G

POWER MOS 7® 7 Series 1200 V 113 A 625 W Through Hole IGBT - T-MAX™

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Microchip
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Microchip APT45GP120B2DQ2G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 1200V
Collector Current @ 25C: 113A
Power Dissipation-Tot: 625W
Gate - Emitter Voltage: ±30V
Pulsed Collector Current: 170A
Turn-on Delay Time: 18ns
Turn-off Delay Time: 100ns
Qg Gate Charge: 185nC
Reverse Recovery Time-Max: 350ns
Leakage Current: 100nA
Input Capacitance: 3995pF
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
No of Terminals: 3
Style d'emballage :  T-MAX
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
100
Multiples de :
1
Total 
2 214,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$22.90
5
$22.61
25
$22.33
75
$22.14
200+
$21.81
Product Variant Information section