Référence fabricant
IRFU9110PBF
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :75 par Tube Style d'emballage :TO-251 (IPAK) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2223 | ||||||||||
Product Specification Section
Vishay IRFU9110PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Location Change
05/20/2025 Détails et téléchargement
Description of Change: Vishay Siliconix announces that we are going to transfer foundry capacity gradually (phase by phase) to Newport UK for commercial HVM Power MOSFET parts (Gen 3) due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, Israel.Reason for Change: Due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, IsraelStart Shipment Date: Monday September 1, 2025
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay IRFU9110PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.2Ω |
| Rated Power Dissipation: | 25|W |
| Qg Gate Charge: | 8.7nC |
| Style d'emballage : | TO-251 (IPAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
1
États-Unis:
1
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1
$0.51
100
$0.495
300
$0.485
1 500
$0.475
5 000+
$0.45
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
75 par Tube
Style d'emballage :
TO-251 (IPAK)
Méthode de montage :
Through Hole