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STMicroelectronics | STN4NF06L

Référence fabricant

STN4NF06L

N-Channel 60 V 0.1 Ohm Surface Mount STripFET II Power Mosfet - SOT-223

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2451
Product Specification Section
STMicroelectronics STN4NF06L - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.1Ω
Rated Power Dissipation: 3.3W
Qg Gate Charge: 7nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 16V
Drain Current: 4A
Turn-on Delay Time: 9ns
Turn-off Delay Time: 20ns
Rise Time: 25ns
Fall Time: 10ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2.8V
Input Capacitance: 340pF
Style d'emballage :  SOT-223 (TO-261-4, SC-73)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The STN4NF06L is a N-channel STripFET™ II Power MOSFET. This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process.

The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

Features:

  • Exceptional dv/dt capability
  • Avalanche rugged technology
  • 100% avalanche tested
  • Low threshold drive

Applications:

  • Switching applications
    • Automotive
Pricing Section
Stock global :
4 000
États-Unis:
4 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
11 Semaines
Commande minimale :
4000
Multiples de :
4000
Total 
1 160,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.29
8 000
$0.285
20 000+
$0.28
Product Variant Information section