IRFTS9342TRPBF in Reel by Infineon | Mosfet | Future Electronics
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Référence fabricant

IRFTS9342TRPBF

Single P-Channel 30 V 66 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - TSOP-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IRFTS9342TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 66mΩ
Rated Power Dissipation: 2W
Qg Gate Charge: 12nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 5.8A
Turn-on Delay Time: 4.6ns
Turn-off Delay Time: 45ns
Rise Time: 13ns
Fall Time: 28ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2.4V
Technology: Si
Height - Max: 1.3mm
Length: 3mm
Input Capacitance: 595pF
Style d'emballage :  SC-74 (TSOP-6)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The IRFTS9342TRPBF is a part of IRFTS9342 series HEXFET power MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +150°C and its available in TSOP-6 package.

Features:

  • Industry-Standard TSOP-6 Package
  • RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen
  • MSL1, Consumer Qualification
  • Multi-Vendor Compatibility
  • Environmentally Friendlier
  • Increased Reliability

Applications:

  • Battery operated DC motor inverter MOSFET
  • System/Load switch

 

 

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Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
312,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.104
9 000
$0.102
15 000
$0.101
30 000
$0.0989
60 000+
$0.0964
Product Variant Information section