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Référence fabricant
DMN6068LK3-13
N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel |
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| Code de date: | 2428 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN6068LK3-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Chine continentale
Code HTS:
8541.29.00.65
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN6068LK3-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/dmn6068lk3-13-diodes-incorporated-7028338
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN6068LK3-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/dmn6068lk3-13-diodes-incorporated-7028338
Diodes Incorporated DMN6068LK3-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 68mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.12|W |
| Qg Gate Charge: | 10.3nC |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.26
7 500
$0.255
25 000+
$0.25
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel