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onsemi | FCPF11N60

Référence fabricant

FCPF11N60

Single N-Channel 600 V 36 W 52 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220F

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FCPF11N60 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.38Ω
Rated Power Dissipation: 36W
Qg Gate Charge: 52nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 11A
Turn-on Delay Time: 34ns
Turn-off Delay Time: 119ns
Rise Time: 205ns
Fall Time: 120ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 5V
Technology: Si
Height - Max: 16.3mm
Length: 10.67mm
Input Capacitance: 1148pF
Style d'emballage :  TO-220F
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
2 000
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
945,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.945
2 000
$0.93
3 000
$0.92
4 000
$0.915
5 000+
$0.90
Product Variant Information section