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Référence fabricant
IPW60R045CPFKSA1
Single N-Channel 650 V 45 mOhm 150 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole |
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| Code de date: | 2202 | ||||||||||
Infineon IPW60R045CPFKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Introduction of an additional assembly and test location site, Tongfu Tongke (Nantong) Microelectronics Co., Ltd. (TFTK) for TO247-3 products.Detailed change information:Subject:Introduction of an additional assembly and final test location site, Tongfu Tongke (Nantong) Microelectronics Co., Ltd. (TFTK) forTO247-3 products.Reason :Expansion of assembly and test location to assure continuity and increase of supply
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPW60R045CPFKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/ipw60r045cpfksa1-infineon-3060202
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPW60R045CPFKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/ipw60r045cpfksa1-infineon-3060202
Infineon IPW60R045CPFKSA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 45mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 431|W |
| Qg Gate Charge: | 150nC |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole