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Référence fabricant
PMCXB900UEZ
PMCX900UEZ Series 20 V 620 mOhm 265 mW N/P Channel TrenchMOS FET - DFN1010B-6
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Nexperia PMCXB900UEZ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=PMCXB900UEZ&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/discretes--transistors--mosfets/pmcxb900uez-nexperia-2092019
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Nexperia PMCXB900UEZ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | Dual N/P-Ch |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.62Ω/1.4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 265mW |
| Qg Gate Charge: | 0.4nC/1.19nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 0.6A/0.5A |
| Turn-on Delay Time: | 5.6ns/2.3ns |
| Turn-off Delay Time: | 19ns/13.5ns |
| Rise Time: | 9.2ns/5ns |
| Fall Time: | 51ns/6ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.7V |
| Input Capacitance: | 21.3pF/43pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.184
10 000
$0.182
15 000
$0.181
20 000
$0.18
25 000+
$0.177
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount