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Référence fabricant
STGWT30H60DFB
HB Series 600 V 30 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-3P
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :300 par Tube Style d'emballage :TO-3P Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STGWT30H60DFB - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STGWT30H60DFB&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/stgwt30h60dfb-stmicroelectronics-5113697
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STMicroelectronics STGWT30H60DFB - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 600V |
| Collector Current @ 25C: | 60A |
| Power Dissipation-Tot: | 260W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 120A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.55V |
| Turn-on Delay Time: | 37ns |
| Turn-off Delay Time: | 146ns |
| Qg Gate Charge: | 149nC |
| Reverse Recovery Time-Max: | 53ns |
| Leakage Current: | 250nA |
| Input Capacitance: | 3659pF |
| Thermal Resistance: | 50°C/W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-3P |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$1.55
40
$1.52
150
$1.50
500
$1.48
2 000+
$1.44
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
300 par Tube
Style d'emballage :
TO-3P
Méthode de montage :
Through Hole