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Manufacturer Part #

BSC320N20NS3GATMA1

Single N-Channel 200 V 32 mOhm 22 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

Modelo ECAD:
Nombre del Fabricante: Infineon
Número de pieza del fabricante:
Product Variant Information section
Código de fecha: 2409
Product Specification Section
Infineon BSC320N20NS3GATMA1 - Caracteristicas Técnicas
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 32mΩ
Rated Power Dissipation: 125W
Qg Gate Charge: 22nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 36A
Turn-on Delay Time: 14ns
Turn-off Delay Time: 22ns
Rise Time: 9ns
Fall Time: 4ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: OptiMOS
Height - Max: 1.27mm
Length: 5.9mm
Input Capacitance: 1770pF
Estilo de empaquetado:  TDSON-8
Método de montaje: Surface Mount
Pricing Section
Stock global:
0
Alemania:
0
60.000
Stock en fábrica:Stock en fábrica:
0
Plazo de fábrica:
26 Weeks
Pedido mínimo:
5000
Múltiples de:
5000
Total
5.050,00 $
USD
Cantidad
Precio unitario
5.000+
1,01 $
Product Variant Information section