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Référence fabricant
FDB0170N607L
FDB0170N607L Series 60 V 300 A 1.4 mOhm N-Channel Power Trench Mosfet - D2PAK-7
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-7 (D2PAK7) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2422 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDB0170N607L - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDB0170N607L&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdb0170n607l-onsemi-1068981
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onsemi FDB0170N607L - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.4mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.8|W |
| Qg Gate Charge: | 173nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 300A |
| Turn-on Delay Time: | 61ns |
| Turn-off Delay Time: | 83ns |
| Rise Time: | 64ns |
| Fall Time: | 37ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Height - Max: | 4.7mm |
| Length: | 10.2mm |
| Input Capacitance: | 13750pF |
| Style d'emballage : | TO-263-7 (D2PAK7) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
4 000
États-Unis:
4 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
29 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$2.32
1 600
$2.31
2 400
$2.30
3 200
$2.29
4 000+
$2.27
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage :
Surface Mount