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Référence fabricant
FDMS86101
FDMS86101 Series 100 V 60 A 8 mOhm N-Channel PowerTrench® MOSFET - POWER-56
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
onsemi FDMS86101 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMS86101&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdms86101-onsemi-7632490
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMS86101&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdms86101-onsemi-7632490
onsemi FDMS86101 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 55nC |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDMS86101 is a 100 V 8 mΩ N-Channel PowerTrench® Mosfet is produced using advanced Power Trench® process thant has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance
Features:
- Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A
- Max rDS(on) = 13.5 mΩ at VGS = 6 V, ID = 9.5 A
- Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS compliant
Applications:
- Automation
- Building & Home Control
- Consumer Appliances
- Medical Electronics/Devices
- Military & Civil Aerospace
- Mobile Comm Infrastructure
- DC-DC Conversion
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount