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Référence fabricant
FQB19N20LTM
N-Channel 200 V 0.14 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2422 | ||||||||||
onsemi FQB19N20LTM - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FQB19N20LTM&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fqb19n20ltm-onsemi-1993807
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onsemi FQB19N20LTM - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 140mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3.13|W |
| Qg Gate Charge: | 27nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FQB19N20LTM is a 200 V 0.14 Ω N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using proprietary, planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
Features:
- 19.0 A, 200 V
- RDS(on) = 0.17 Ω@VGS = 10 V
- Low gate charge (typical 40.5 nC)
- Low Crss (typical 85 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- RoHS Compliant
Applications:
- High efficiency switching DC/DC converters
- Switch mode power supply
- Motor control
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount