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Référence fabricant
IRL60HS118
N-Channel 60 V 18.5 A 11.5 W Surface Mount OptiMOSTM5 Power Mosfet - PQFN-6
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :PQFN-6 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2449 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRL60HS118 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Fabrication Site Change
11/04/2022 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRL60HS118&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irl60hs118-infineon-2174110
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Infineon IRL60HS118 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 17mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 5.3nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 10A |
| Turn-on Delay Time: | 8.4ns |
| Turn-off Delay Time: | 9ns |
| Rise Time: | 21ns |
| Fall Time: | 5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 1.7V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 660pF |
| Style d'emballage : | PQFN-6 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
4 000
États-Unis:
4 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
4 000
$0.35
8 000
$0.345
12 000
$0.34
20 000+
$0.335
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN-6
Méthode de montage :
Surface Mount