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Infineon | IRLU3410PBF

Référence fabricant

IRLU3410PBF

Single N-Channel 100 V 105 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 1625
Product Specification Section
Infineon IRLU3410PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 105mΩ
Rated Power Dissipation: 79|W
Qg Gate Charge: 34nC
Style d'emballage :  TO-251 (IPAK)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
75
tariff icon
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Total 
1 365,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
75
$0.48
375
$0.465
1 500
$0.455
3 750
$0.445
9 375+
$0.43
Product Variant Information section