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Référence fabricant
NTMTS001N06CLTXG
60 V, 0.81 mOhm 398.2 A, Single N−Channel Power MOSFET
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :PQFN-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTMTS001N06CLTXG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NTMTS001N06CLTXG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ntmts001n06cltxg-onsemi-6110583
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onsemi NTMTS001N06CLTXG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.81mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 244W |
| Qg Gate Charge: | 165nC |
| Drain Current: | 398.2A |
| Turn-on Delay Time: | 47.2ns |
| Turn-off Delay Time: | 70.7ns |
| Rise Time: | 25.2ns |
| Fall Time: | 23.3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.2V |
| Input Capacitance: | 12300pF |
| Style d'emballage : | PQFN-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$1.61
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN-8
Méthode de montage :
Surface Mount