text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

SI7850DP-T1-E3

Single N-Channel 60 V 22 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2337
Product Specification Section
Vishay SI7850DP-T1-E3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.022Ω
Rated Power Dissipation: 1.8|W
Qg Gate Charge: 27nC
Style d'emballage :  POWERPAK-SO-8
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
Vishay was founded in 1962 and is now one of the world’s largest manufacturers of discrete semiconductors.  The PowerPAK’s innovative leadless packaging provides a direct thermal path between the power MOSFET die and the natural heat sink supplied by the printed circuit board. The thermal path is established by soldering the die-attach copper pad directly to the PCB. This leadless technology also provides for ultra-thin package profiles.The Si7850DP features a new low thermal resistance PowerPAK® and TrenchFET® Power MOSFET Technology. This 60V N-channel device in the PowerPAK SO-8 package, features maximum on-resistance of 22 milliohms at a 60-V gate drive voltage. Specifically designed as a primary side switch for 24-V DC/DC applications and a secondary synchronous rectifier.
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
72 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 650,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.55
6 000
$0.545
9 000
$0.54
15 000+
$0.53
Product Variant Information section