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Référence fabricant
SPD03N50C3ATMA1
Single N-Channel 500 V 1.4 Ohm 15 nC CoolMOS™ Power Mosfet - PG-TO252-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 1723 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon SPD03N50C3ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SPD03N50C3ATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/spd03n50c3atma1-infineon-9099174
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Infineon SPD03N50C3ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.4Ω |
| Rated Power Dissipation: | 38W |
| Qg Gate Charge: | 15nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 3.2A |
| Turn-on Delay Time: | 10ns |
| Turn-off Delay Time: | 70ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 15ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 350pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
100
États-Unis:
100
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$1.27
15
$1.15
75
$1.08
250
$1.02
1 250+
$0.945
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount