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Référence fabricant
STP110N8F6
Single N-Channel 80 V 200 W 150 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP110N8F6 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP110N8F6&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp110n8f6-stmicroelectronics-8048359
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STMicroelectronics STP110N8F6 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.0065Ω |
| Rated Power Dissipation: | 200W |
| Qg Gate Charge: | 150nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 110A |
| Turn-on Delay Time: | 24ns |
| Turn-off Delay Time: | 162ns |
| Rise Time: | 61ns |
| Fall Time: | 48ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 9.15mm |
| Length: | 10.4mm |
| Input Capacitance: | 9130pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1
$0.825
50
$0.80
200
$0.78
1 000
$0.755
3 000+
$0.715
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole