text.skipToContent text.skipToNavigation

warning.svgLes commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.
Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.

Truck-Icon.svgLivraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent

  1. home
  2. Semiconducteurs
  3. Discrets
  4. Transistors
  5. Mosfet
  6. STW20NM60

STMicroelectronics | STW20NM60

Référence fabricant

STW20NM60

N-Channel 600 V 0.29 Ohm Flange Mount MDmesh Power MosFet - TO-247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STW20NM60 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.29Ω
Rated Power Dissipation: 192|W
Qg Gate Charge: 54nC
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Flange Mount
Fonctionnalités et applications

The STW20NM60 MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout.

The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.

Features:

  • High dv/dt and avalanche capabilities
  • 100% avalanche tested
  • Low input capacitance and gate charge
  • Low gate input resistance

Applications:

  • Switching applications

View the Complete family of STW2 Mosfet Transistors

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
2 010,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$3.46
120
$3.40
450
$3.35
750
$3.33
1 500+
$3.27
Product Variant Information section