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STMicroelectronics | SCT50N120

Référence fabricant

SCT50N120

N-Channel 1200 V 59 mΩ 122 nC Silicon Carbide Power Mosfet - HiP247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 1920
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT50N120 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 65A
Input Capacitance: 1900pF
Power Dissipation: 318W
Operating Temp Range: -55°C to +200°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
9 966,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
16,94 $
60
16,84 $
90
16,78 $
120
16,74 $
150+
16,61 $
Product Variant Information section