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Référence fabricant
NXH80B120MNQ0SNG
Dual-Channel 1200 V 69 A 80 mOhm 69 W SiC Dual Boost Power Module - Q0BOOST
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :24 par Tray Méthode de montage :Chassis Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2330 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NXH80B120MNQ0SNG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NXH80B120MNQ0SNG&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--silicon-carbide-power-modules-sic-power-modules/nxh80b120mnq0sng-onsemi-2158559
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onsemi NXH80B120MNQ0SNG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 23A |
| Configuration: | Dual Boost Chopper |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| Méthode de montage : | Chassis Mount |
Pricing Section
Stock global :
24
États-Unis:
24
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
24
$55.03
48
$54.69
72
$54.49
96
$54.35
120+
$53.91
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
24 par Tray
Méthode de montage :
Chassis Mount